半導(dǎo)體材料提純作為發(fā)展半導(dǎo)體器件的重要基礎(chǔ)。由于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的工藝要求,為得到高純度的硅材料,原料和中間媒介的高純度和生產(chǎn)環(huán)境的潔凈度成為影響產(chǎn)品質(zhì)量的一個(gè)突出問題。
深圳半導(dǎo)體、集成電路生產(chǎn)的潔凈室要求
集成電路芯片的成品率與芯片的缺陷密度有關(guān),而芯片的缺陷密度與空氣中粒子個(gè)數(shù)有關(guān)。因此,集成電路的高速發(fā)展,不僅對空氣中控制粒子的尺寸有極高的要求,而且也需進(jìn)一步控制粒子數(shù);同時(shí),對于超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)環(huán)境的化學(xué)污染控制也有相關(guān)的要求。
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